ON Semiconductor - FDD6796A

KEY Part #: K6407652

[900ks skladem]


    Číslo dílu:
    FDD6796A
    Výrobce:
    ON Semiconductor
    Detailní popis:
    MOSFET NCH 25V 20A DPAK.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tyristory - TRIAC, Diody - Můstkové usměrňovače and Tranzistory - programovatelný Unijunction ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor FDD6796A. FDD6796A může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FDD6796A, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDD6796A Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : FDD6796A
    Výrobce : ON Semiconductor
    Popis : MOSFET NCH 25V 20A DPAK
    Série : PowerTrench®
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 25V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 20A (Ta), 40A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.7 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1780pF @ 13V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 3.7W (Ta), 42W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : D-PAK (TO-252)
    Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63