ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16320D-6TL-TR

KEY Part #: K940173

Detailní popis:: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512M (32Mx16) 166MHz DDR 2.5v

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Sběr dat - Digitální převodníky analogové (DAC), Rozhraní - UART (Universal Asynchronous Receiver T, Rozhraní - analogové spínače - speciální účel, PMIC - regulátory napětí - lineární, Vestavěné - FPGA (Field Programmable Gate Array), Paměť - Řadiče, Rozhraní - analogové spínače, multiplexory, demult and Hodiny / časování - zpoždění vedení ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6TL-TR. IS43R16320D-6TL-TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IS43R16320D-6TL-TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : IS43R16320D-6TL-TR

Výrobce : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Popis : IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Série : -

Stav části : Active

Typ paměti : Volatile

Formát paměti : DRAM

Technologie : SDRAM - DDR

Velikost paměti : 512Mb (32M x 16)

Frekvence hodin : 166MHz

Čas zápisu - slovo, strana : 15ns

Čas přístupu : 700ps

Paměťové rozhraní : Parallel

Napětí - napájení : 2.3V ~ 2.7V

Provozní teplota : 0°C ~ 70°C (TA)

Typ montáže : Surface Mount

Balíček / Případ : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Balík zařízení pro dodavatele : 66-TSOP II

Můžete se také zajímat

CY7C199D-25SXET

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs
6116LA25SOGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
6116LA20SOGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
6116SA25TPGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
W94AD2KBJX5I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R
W632GU8MB12I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.