GeneSiC Semiconductor - MBR600200CT

KEY Part #: K6468492

Detailní popis:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Forward

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR, Diody - Zener - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Moduly ovladače napájení, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Diody - Můstkové usměrňovače ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor MBR600200CT. MBR600200CT může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na MBR600200CT, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : MBR600200CT

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Série : -

Stav části : Active

Konfigurace diod : 1 Pair Common Cathode

Typ diod : Schottky

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 200V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) (na diodu) : 300A

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 300A

Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : -

Proud - reverzní únik @ Vr : 3mA @ 200V

Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 150°C

Typ montáže : Chassis Mount

Balíček / Případ : Twin Tower

Balík zařízení pro dodavatele : Twin Tower

Můžete se také zajímat

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Horké díly