Microsemi Corporation - JAN1N4988CUS

KEY Part #: K6479712

JAN1N4988CUS Ceny (USD) [3027ks skladem]

  • 1 pcs$14.31087
  • 100 pcs$9.63039

Číslo dílu:
JAN1N4988CUS
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
DIODE ZENER 180V 5W D5B. Zener Diodes Zener Diodes
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Moduly ovladače napájení, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation JAN1N4988CUS. JAN1N4988CUS může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na JAN1N4988CUS, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4988CUS Vlastnosti produktu

Číslo dílu : JAN1N4988CUS
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : DIODE ZENER 180V 5W D5B
Série : Military, MIL-PRF-19500/356
Stav části : Active
Napětí - Zener (Nom) (Vz) : 180V
Tolerance : ±2%
Výkon - Max : 5W
Impedance (Max) (Zzt) : 450 Ohms
Proud - reverzní únik @ Vr : 2µA @ 136.8V
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 1A
Provozní teplota : -65°C ~ 175°C
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : E-MELF
Balík zařízení pro dodavatele : D-5B

Můžete se také zajímat
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA