FFSP3065A Ceny (USD) [8517ks skladem]
- 1 pcs$4.83889
- 800 pcs$3.19172
- Číslo dílu:
- FFSP3065A
- Výrobce:
- ON Semiconductor
- Detailní popis:
- DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC SBD 30A
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Diody - Zener - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - IGBT - Moduly and Moduly ovladače napájení ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor FFSP3065A. FFSP3065A může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FFSP3065A, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
FFSP3065A Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
FFSP3065A
Výrobce :
ON Semiconductor
Popis :
DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Silicon Carbide Schottky
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
650V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
30A (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.75V @ 30A
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
-
Proud - reverzní únik @ Vr :
200µA @ 650V
Kapacita @ Vr, F :
1705pF @ 1V, 100kHz
Typ montáže :
Through Hole
Balíček / Případ :
TO-220-2
Balík zařízení pro dodavatele :
TO-220-2L
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 175°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
Horké díly
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G