GeneSiC Semiconductor - GA20JT12-247

KEY Part #: K6404174

GA20JT12-247 Ceny (USD) [2103ks skladem]

  • 510 pcs$12.75739

Číslo dílu:
GA20JT12-247
Výrobce:
GeneSiC Semiconductor
Detailní popis:
TRANS SJT 1.2KV 20A.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Diody - Zener - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly and Tyristory - TRIAC ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor GA20JT12-247. GA20JT12-247 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na GA20JT12-247, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA20JT12-247 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : GA20JT12-247
Výrobce : GeneSiC Semiconductor
Popis : TRANS SJT 1.2KV 20A
Série : -
Stav části : Obsolete
Typ FET : -
Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1200V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : -
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 282W (Tc)
Provozní teplota : 175°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele : TO-247AB
Balíček / Případ : TO-247-3
Můžete se také zajímat
  • NP60N055VUK-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.

  • NP60N04VUK-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.

  • AUIRLR024Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

  • AUIRFR4292

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

  • IRFR7440PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

  • TK16A60W5,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.