Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Diody - Usměrňovače - Single
  5. NXPSC08650BJ

WeEn Semiconductors - NXPSC08650BJ

KEY Part #: K6440481

[3804ks skladem]

    Číslo dílu:
    NXPSC08650BJ
    Výrobce:
    WeEn Semiconductors
    Detailní popis:
    DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B/D2PAK/STANDARD M
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - Zener - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF and Tranzistory - IGBTs - Single ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky WeEn Semiconductors NXPSC08650BJ. NXPSC08650BJ může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na NXPSC08650BJ, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NXPSC08650BJ Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : NXPSC08650BJ
    Výrobce : WeEn Semiconductors
    Popis : DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK
    Série : -
    Stav části : Discontinued at Digi-Key
    Typ diod : Silicon Carbide Schottky
    Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 650V
    Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 8A
    Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 8A
    Rychlost : No Recovery Time > 500mA (Io)
    Doba zpětného obnovení (trr) : 0ns
    Proud - reverzní únik @ Vr : 230µA @ 650V
    Kapacita @ Vr, F : 260pF @ 1V, 1MHz
    Typ montáže : Surface Mount
    Balíček / Případ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Balík zařízení pro dodavatele : D2PAK
    Provozní teplota - křižovatka : 175°C (Max)
    Můžete se také zajímat
    • VS-80APS08-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

    • V20100S-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

    • EGP20B-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

    • 1N4585GP-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

    • GP15M-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM

    • 1N5060GP-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC. Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt Glass Passivated

    Horké díly