NXP USA Inc. - PMGD8000LN,115

KEY Part #: K6524796

[3711ks skladem]


    Číslo dílu:
    PMGD8000LN,115
    Výrobce:
    NXP USA Inc.
    Detailní popis:
    MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - JFETy, Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - speciální účel, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - programovatelný Unijunction and Tranzistory - IGBTs - Single ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky NXP USA Inc. PMGD8000LN,115. PMGD8000LN,115 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na PMGD8000LN,115, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMGD8000LN,115 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : PMGD8000LN,115
    Výrobce : NXP USA Inc.
    Popis : MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
    Série : TrenchMOS™
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
    Funkce FET : Logic Level Gate
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 125mA
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 10mA, 4V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.35nC @ 4.5V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 18.5pF @ 5V
    Výkon - Max : 200mW
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balíček / Případ : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Balík zařízení pro dodavatele : 6-TSSOP

    Můžete se také zajímat
    • IRF5852TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP.

    • IRF5850TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP.

    • IRF5851TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP.

    • IRF5810TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

    • IRF5852

      Infineon Technologies

      MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP.

    • IRF5810

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP.