Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Diody - usměrňovače - pole
  5. MUR2X120A12

GeneSiC Semiconductor - MUR2X120A12

KEY Part #: K6468499

MUR2X120A12 Ceny (USD) [2186ks skladem]

  • 1 pcs$19.81151
  • 40 pcs$13.92379
Číslo dílu:
MUR2X120A12
Výrobce:
GeneSiC Semiconductor
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227. Rectifiers 1200V 240A Fwd Super Fast Recovery
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - JFETy, Tyristory - DIAC, SIDAC, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Diody - usměrňovače - pole and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor MUR2X120A12. MUR2X120A12 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na MUR2X120A12, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR2X120A12 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : MUR2X120A12
Výrobce : GeneSiC Semiconductor
Popis : DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227
Série : -
Stav části : Active
Konfigurace diod : 2 Independent
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 1200V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) (na diodu) : 120A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 2.35V @ 120A
Rychlost : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : -
Proud - reverzní únik @ Vr : 25µA @ 1200V
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 175°C
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : SOT-227-4, miniBLOC
Balík zařízení pro dodavatele : SOT-227
Můžete se také zajímat
  • LQA10N150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • MMBF5485

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 10MA SOT23.

  • MMBFJ211

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 20MA SOT23.

  • MMBF4416

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

  • MMBF4416A

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 35V 15MA SOT23.

  • 2SK209-GR(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    JFET N-CH SOT23.

Horké díly