Vishay Siliconix - SI1400DL-T1-GE3

KEY Part #: K6406421

SI1400DL-T1-GE3 Ceny (USD) [1324ks skladem]

  • 3,000 pcs$0.09104

Číslo dílu:
SI1400DL-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - JFETy, Diody - Zener - pole, Moduly ovladače napájení, Diody - usměrňovače - pole, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Tyristory - DIAC, SIDAC ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SI1400DL-T1-GE3. SI1400DL-T1-GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SI1400DL-T1-GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1400DL-T1-GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SI1400DL-T1-GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
Série : TrenchFET®
Stav části : Obsolete
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 20V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : -
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 568mW (Ta)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : SC-70-6 (SOT-363)
Balíček / Případ : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363