Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Integrované obvody (IC)
  4. Paměť
  5. W987D2HBJX7E TR

Winbond Electronics - W987D2HBJX7E TR

KEY Part #: K942478

W987D2HBJX7E TR Ceny (USD) [47612ks skladem]

  • 1 pcs$1.02726
  • 2,500 pcs$1.02215
Číslo dílu:
W987D2HBJX7E TR
Výrobce:
Winbond Electronics
Detailní popis:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm T&R
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: PMIC - Regulátory napětí - speciální účel, Lineární zesilovače - Video zesilovače a moduly, Vestavěné PLD (programovatelné logické zařízení), PMIC - regulátory napájení, monitory, Rozhraní - Moduly, Logika - komparátory, Vestavěný procesor DSP (Digital Signal Processors) and Rozhraní - kodéry, dekodéry, převodníky ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Winbond Electronics W987D2HBJX7E TR. W987D2HBJX7E TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na W987D2HBJX7E TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W987D2HBJX7E TR Vlastnosti produktu

Číslo dílu : W987D2HBJX7E TR
Výrobce : Winbond Electronics
Popis : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Série : -
Stav části : Not For New Designs
Typ paměti : Volatile
Formát paměti : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPSDR
Velikost paměti : 128Mb (4M x 32)
Frekvence hodin : 133MHz
Čas zápisu - slovo, strana : 15ns
Čas přístupu : 5.4ns
Paměťové rozhraní : Parallel
Napětí - napájení : 1.7V ~ 1.95V
Provozní teplota : -25°C ~ 85°C (TC)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 90-TFBGA
Balík zařízení pro dodavatele : 90-VFBGA (8x13)

Poslední zprávy

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Můžete se také zajímat
  • NDS63PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP.

  • IS25WP128F-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC. SRAM 2Mb 256Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

Horké díly