Microsemi Corporation - JAN1N4496D

KEY Part #: K6479739

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Moduly ovladače napájení and Tyristory - SCR - Moduly ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation JAN1N4496D. JAN1N4496D může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na JAN1N4496D, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : JAN1N4496D

Výrobce : Microsemi Corporation

Popis : DIODE ZENER 200V 1.5W DO41

Série : Military, MIL-PRF-19500/406

Stav části : Active

Napětí - Zener (Nom) (Vz) : 200V

Tolerance : ±1%

Výkon - Max : 1.5W

Impedance (Max) (Zzt) : 1500 Ohms

Proud - reverzní únik @ Vr : 250nA @ 160V

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA

Provozní teplota : -65°C ~ 175°C

Typ montáže : Through Hole

Balíček / Případ : DO-204AL, DO-41, Axial

Balík zařízení pro dodavatele : DO-41

Můžete se také zajímat

MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array
BAV70E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA
BAV70WH6327XTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR

Horké díly