IXYS - IXFA3N120

KEY Part #: K6394869

IXFA3N120 Ceny (USD) [17085ks skladem]

  • 1 pcs$3.23474
  • 10 pcs$2.91215
  • 100 pcs$2.39454
  • 500 pcs$2.00623
  • 1,000 pcs$1.74735

Číslo dílu:
IXFA3N120
Výrobce:
IXYS
Detailní popis:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Diody - Usměrňovače - Single and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky IXYS IXFA3N120. IXFA3N120 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IXFA3N120, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA3N120 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IXFA3N120
Výrobce : IXYS
Popis : MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Série : HiPerFET™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1200V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 200W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : TO-263 (IXFA)
Balíček / Případ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB