NXP USA Inc. - PSMN3R7-30YLC,115

KEY Part #: K6415267

[12469ks skladem]


    Číslo dílu:
    PSMN3R7-30YLC,115
    Výrobce:
    NXP USA Inc.
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - pole, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tyristory - SCR, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - RF and Diody - Zener - Single ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky NXP USA Inc. PSMN3R7-30YLC,115. PSMN3R7-30YLC,115 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na PSMN3R7-30YLC,115, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN3R7-30YLC,115 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : PSMN3R7-30YLC,115
    Výrobce : NXP USA Inc.
    Popis : MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
    Série : -
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.95 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.95V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1848pF @ 15V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 79W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : LFPAK56, Power-SO8
    Balíček / Případ : SC-100, SOT-669