Výrobce :
STMicroelectronics
Popis :
MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
Série :
DeepGATE™, STripFET™ VI
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
30V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
19A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.6 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
1690pF @ 25V
Ztráta výkonu (Max) :
2.7W (Ta)
Provozní teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele :
8-SO
Balíček / Případ :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)