Infineon Technologies - IPD60R280P7SAUMA1

KEY Part #: K6419883

IPD60R280P7SAUMA1 Ceny (USD) [141884ks skladem]

  • 1 pcs$0.26069
  • 2,500 pcs$0.23711

Číslo dílu:
IPD60R280P7SAUMA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - RF, Diody - Usměrňovače - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single and Tranzistory - IGBTs - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IPD60R280P7SAUMA1. IPD60R280P7SAUMA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IPD60R280P7SAUMA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R280P7SAUMA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IPD60R280P7SAUMA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Série : CoolMOS™ P7
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 600V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 190µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 761pF @ 400V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 53W (Tc)
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PG-TO252-3
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Můžete se také zajímat