Microsemi Corporation - APT100GT120JU3

KEY Part #: K6532491

APT100GT120JU3 Ceny (USD) [2567ks skladem]

  • 1 pcs$16.62320
  • 10 pcs$15.37785
  • 25 pcs$14.13121
  • 100 pcs$13.13363
  • 250 pcs$12.05303

Číslo dílu:
APT100GT120JU3
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
IGBT 1200V 140A 480W SOT227.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Můstkové usměrňovače, Moduly ovladače napájení, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - programovatelný Unijunction and Tyristory - TRIAC ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APT100GT120JU3. APT100GT120JU3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APT100GT120JU3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GT120JU3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APT100GT120JU3
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : IGBT 1200V 140A 480W SOT227
Série : -
Stav části : Active
Typ IGBT : Trench Field Stop
Konfigurace : Single
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 1200V
Proud - kolektor (Ic) (Max) : 140A
Výkon - Max : 480W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A
Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 5mA
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 7.2nF @ 25V
Vstup : Standard
Termistor NTC : No
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : ISOTOP
Balík zařízení pro dodavatele : SOT-227

Můžete se také zajímat
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.