Diodes Incorporated - ZXMN6A08E6QTA

KEY Part #: K6393882

ZXMN6A08E6QTA Ceny (USD) [226525ks skladem]

  • 1 pcs$0.16328
  • 3,000 pcs$0.14509

Číslo dílu:
ZXMN6A08E6QTA
Výrobce:
Diodes Incorporated
Detailní popis:
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Moduly ovladače napájení, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Diody - usměrňovače - pole, Tyristory - SCR, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tyristory - TRIAC and Tranzistory - programovatelný Unijunction ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Diodes Incorporated ZXMN6A08E6QTA. ZXMN6A08E6QTA může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na ZXMN6A08E6QTA, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN6A08E6QTA Vlastnosti produktu

Číslo dílu : ZXMN6A08E6QTA
Výrobce : Diodes Incorporated
Popis : MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 60V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 459pF @ 40V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 1.1W (Ta)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : SOT-26
Balíček / Případ : SOT-23-6

Můžete se také zajímat