Toshiba Semiconductor and Storage - TK10J80E,S1E

KEY Part #: K6417647

TK10J80E,S1E Ceny (USD) [37612ks skladem]

  • 1 pcs$1.21125
  • 25 pcs$1.20523

Číslo dílu:
TK10J80E,S1E
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detailní popis:
MOSFET N-CH 800V TO-3PN.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - IGBTs - Single, Tyristory - SCR, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF and Tranzistory - IGBT - Moduly ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E. TK10J80E,S1E může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na TK10J80E,S1E, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK10J80E,S1E Vlastnosti produktu

Číslo dílu : TK10J80E,S1E
Výrobce : Toshiba Semiconductor and Storage
Popis : MOSFET N-CH 800V TO-3PN
Série : π-MOSVIII
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 800V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 250W (Tc)
Provozní teplota : 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele : TO-3P(N)
Balíček / Případ : TO-3P-3, SC-65-3