IXYS-RF - IXFH6N100F

KEY Part #: K6393702

IXFH6N100F Ceny (USD) [10590ks skladem]

  • 1 pcs$4.90940
  • 10 pcs$4.41758
  • 100 pcs$3.63216
  • 500 pcs$3.04315

Číslo dílu:
IXFH6N100F
Výrobce:
IXYS-RF
Detailní popis:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - JFETy, Diody - Můstkové usměrňovače, Tyristory - TRIAC, Moduly ovladače napájení, Diody - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - speciální účel and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky IXYS-RF IXFH6N100F. IXFH6N100F může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IXFH6N100F, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH6N100F Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IXFH6N100F
Výrobce : IXYS-RF
Popis : MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Série : HiPerRF™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1000V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1770pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 180W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele : TO-247 (IXFH)
Balíček / Případ : TO-247-3