IDP30E120XKSA1 Ceny (USD) [32584ks skladem]
- 1 pcs$0.87801
- 10 pcs$0.78854
- 100 pcs$0.63380
- 500 pcs$0.52073
- 1,000 pcs$0.43146
- Číslo dílu:
- IDP30E120XKSA1
- Výrobce:
- Infineon Technologies
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2.
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Můstkové usměrňovače, Diody - Zener - pole, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Diody - Zener - Single, Diody - usměrňovače - pole and Tranzistory - JFETy ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IDP30E120XKSA1. IDP30E120XKSA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IDP30E120XKSA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
IDP30E120XKSA1 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
IDP30E120XKSA1
Výrobce :
Infineon Technologies
Popis :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
1200V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
50A (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
2.15V @ 30A
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
243ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
100µA @ 1200V
Kapacita @ Vr, F :
-
Typ montáže :
Through Hole
Balíček / Případ :
TO-220-2
Balík zařízení pro dodavatele :
PG-TO220-2-2
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 150°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
VS-HFA04SD60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED
-
VS-E4PH6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
VS-EPH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
VS-E4PU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
SFA808G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier
-
STTH3010PI
STMicroelectronics
DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode
Horké díly
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18