GeneSiC Semiconductor - 1N3879

KEY Part #: K6442659

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tyristory - SCR, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tyristory - TRIAC and Tyristory - DIAC, SIDAC ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor 1N3879. 1N3879 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 1N3879, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : 1N3879

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE GEN PURP 50V 6A DO4

Série : -

Stav části : Active

Typ diod : Standard

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 50V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 6A

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 6A

Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : 200ns

Proud - reverzní únik @ Vr : 15µA @ 50V

Kapacita @ Vr, F : -

Typ montáže : Chassis, Stud Mount

Balíček / Případ : DO-203AA, DO-4, Stud

Balík zařízení pro dodavatele : DO-4

Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 150°C

Můžete se také zajímat

GP2D010A120C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.
GP2D006A065C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.
GP2D005A120C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.
GDP03S060C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2.
LXA08B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 8A Low Qrr
VS-MBRD320PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK.

Horké díly