Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Integrované obvody (IC)
  4. Paměť
  5. TC58BVG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG0S3HBAI6

KEY Part #: K940841

TC58BVG0S3HBAI6 Ceny (USD) [32393ks skladem]

  • 1 pcs$0.92400
  • 10 pcs$0.83202
Číslo dílu:
TC58BVG0S3HBAI6
Výrobce:
Toshiba Memory America, Inc.
Detailní popis:
IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Embedded - Systém na čipu (SoC), PMIC - Regulátory napětí - speciální účel, PMIC - Tepelné řízení, Rozhraní - záznam zvuku a přehrávání, Logika - Speciální logika, Rozhraní - kodéry, dekodéry, převodníky, PMIC - měření spotřeby energie and Rozhraní - Ovladače ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG0S3HBAI6. TC58BVG0S3HBAI6 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na TC58BVG0S3HBAI6, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BVG0S3HBAI6 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : TC58BVG0S3HBAI6
Výrobce : Toshiba Memory America, Inc.
Popis : IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
Série : Benand™
Stav části : Active
Typ paměti : Non-Volatile
Formát paměti : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Velikost paměti : 1Gb (128M x 8)
Frekvence hodin : -
Čas zápisu - slovo, strana : 25ns
Čas přístupu : 25ns
Paměťové rozhraní : Parallel
Napětí - napájení : 2.7V ~ 3.6V
Provozní teplota : -40°C ~ 85°C (TA)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 67-VFBGA
Balík zařízení pro dodavatele : 67-VFBGA (6.5x8)

Poslední zprávy

Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Můžete se také zajímat
  • NDS73PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • IS25LQ032B-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON. NOR Flash 32Mb QSPI, WSON, RoHS

  • 25AA1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • CY62256NLL-70PXC

    Alliance Memory, Inc.

    256M SRAM 28 DIP. SRAM 256K 32K x 8 4.5-5.5V 28pin 600mil DIP Commercial (0 70 C) Low Power Asynch

  • AS6C62256A-70SCN

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM

Horké díly