Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10G-E3/TR

KEY Part #: K6454913

BYG10G-E3/TR Ceny (USD) [739474ks skladem]

  • 1 pcs$0.05002
  • 1,800 pcs$0.04701
  • 3,600 pcs$0.04231
  • 5,400 pcs$0.03996
  • 12,600 pcs$0.03643
  • 45,000 pcs$0.03408

Číslo dílu:
BYG10G-E3/TR
Výrobce:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detailní popis:
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - Zener - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - IGBT - Moduly and Tranzistory - speciální účel ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10G-E3/TR. BYG10G-E3/TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BYG10G-E3/TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10G-E3/TR Vlastnosti produktu

Číslo dílu : BYG10G-E3/TR
Výrobce : Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis : DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Avalanche
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 400V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 1.5A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 1.5A
Rychlost : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 4µs
Proud - reverzní únik @ Vr : 1µA @ 400V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : DO-214AC, SMA
Balík zařízení pro dodavatele : DO-214AC (SMA)
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 150°C

Můžete se také zajímat
  • CSD01060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE

  • BAS19-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • C3D10060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A

  • VS-50WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3