GeneSiC Semiconductor - 1N4596R

KEY Part #: K6425041

Detailní popis:: DIODE GEN PURP REV 1.4KV DO205AA. Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 150A1400PV

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - RF, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tyristory - TRIAC, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - JFETy, Tyristory - SCR - Moduly and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor 1N4596R. 1N4596R může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 1N4596R, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : 1N4596R

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE GEN PURP REV 1.4KV DO205AA

Série : -

Stav části : Active

Typ diod : Standard, Reverse Polarity

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 1400V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 150A

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 150A

Rychlost : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : -

Proud - reverzní únik @ Vr : 3.5mA @ 1400V

Kapacita @ Vr, F : -

Typ montáže : Chassis, Stud Mount

Balíček / Případ : DO-205AA, DO-8, Stud

Balík zařízení pro dodavatele : DO-205AA (DO-8)

Provozní teplota - křižovatka : -60°C ~ 200°C

Můžete se také zajímat

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
VS-20ETS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.