ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42SM16160K-6BLI-TR

KEY Part #: K938172

IS42SM16160K-6BLI-TR Ceny (USD) [19407ks skladem]

  • 1 pcs$2.82492
  • 2,500 pcs$2.81087

Číslo dílu:
IS42SM16160K-6BLI-TR
Výrobce:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detailní popis:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz Mobile SDRAM
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Logické - signální přepínače, multiplexory, dekodé, Vestavěné - FPGA (Field Programmable Gate Array), Lineární - zpracování videa, PMIC - Tepelné řízení, Ovladače PMIC - LED, Speciální zvuk, Paměť and Lineární - komparátory ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160K-6BLI-TR. IS42SM16160K-6BLI-TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IS42SM16160K-6BLI-TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42SM16160K-6BLI-TR Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IS42SM16160K-6BLI-TR
Výrobce : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Popis : IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
Série : -
Stav části : Active
Typ paměti : Volatile
Formát paměti : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile
Velikost paměti : 256Mb (16M x 16)
Frekvence hodin : 166MHz
Čas zápisu - slovo, strana : -
Čas přístupu : 5.5ns
Paměťové rozhraní : Parallel
Napětí - napájení : 2.7V ~ 3.6V
Provozní teplota : -40°C ~ 85°C (TA)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 54-TFBGA
Balík zařízení pro dodavatele : 54-TFBGA (8x8)

Poslední zprávy

Můžete se také zajímat
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)