Microsemi Corporation - JAN1N4150-1

KEY Part #: K6444769

JAN1N4150-1 Ceny (USD) [49745ks skladem]

  • 1 pcs$0.99926
  • 10 pcs$0.90142
  • 25 pcs$0.80493
  • 100 pcs$0.72436
  • 250 pcs$0.64387
  • 500 pcs$0.56339
  • 1,000 pcs$0.46681

Číslo dílu:
JAN1N4150-1
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Diody - Zener - pole, Moduly ovladače napájení and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation JAN1N4150-1. JAN1N4150-1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na JAN1N4150-1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4150-1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : JAN1N4150-1
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Série : Military, MIL-PRF-19500/231
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 50V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 200mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Rychlost : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Doba zpětného obnovení (trr) : 4ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 100nA @ 50V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : DO-204AH, DO-35, Axial
Balík zařízení pro dodavatele : DO-35
Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 175°C

Můžete se také zajímat
  • BYM13-30-E3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 30 Volt 30 Amp IFSM

  • US1GHE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC.

  • SS16HE3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC.

  • SS210-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 1.5A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 1.5 Amp 75 Amp IFSM

  • GI818-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC.

  • SS5P9-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 90V 5A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 5.0 Amp 90 Volt