GeneSiC Semiconductor - FR85D05

KEY Part #: K6425035

Detailní popis:: DIODE GEN PURP 200V 85A DO5. Rectifiers 200V 85A Fast Recovery

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - JFETy, Diody - Usměrňovače - Single, Diody - Zener - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - IGBTs - Single and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor FR85D05. FR85D05 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FR85D05, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : FR85D05

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE GEN PURP 200V 85A DO5

Série : -

Stav části : Active

Typ diod : Standard

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 200V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 85A

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 85A

Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : 500ns

Proud - reverzní únik @ Vr : 25µA @ 100V

Kapacita @ Vr, F : -

Typ montáže : Chassis, Stud Mount

Balíček / Případ : DO-203AB, DO-5, Stud

Balík zařízení pro dodavatele : DO-5

Provozní teplota - křižovatka : -40°C ~ 125°C

Můžete se také zajímat

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier