Rohm Semiconductor - SH8M12TB1

KEY Part #: K6525388

SH8M12TB1 Ceny (USD) [254965ks skladem]

  • 1 pcs$0.16037
  • 2,500 pcs$0.15958

Číslo dílu:
SH8M12TB1
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Detailní popis:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single and Tranzistory - bipolární (BJT) - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Rohm Semiconductor SH8M12TB1. SH8M12TB1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SH8M12TB1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SH8M12TB1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SH8M12TB1
Výrobce : Rohm Semiconductor
Popis : MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Série : -
Stav části : Not For New Designs
Typ FET : N and P-Channel
Funkce FET : Logic Level Gate
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 10V
Výkon - Max : 2W
Provozní teplota : 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zařízení pro dodavatele : 8-SOP