Microsemi Corporation - APTGL60DH120T3G

KEY Part #: K6533677

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Diody - Můstkové usměrňovače, Moduly ovladače napájení and Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTGL60DH120T3G. APTGL60DH120T3G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTGL60DH120T3G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : APTGL60DH120T3G

Výrobce : Microsemi Corporation

Popis : MOD IGBT 1200V 80A SP3

Série : -

Stav části : Obsolete

Typ IGBT : Trench Field Stop

Konfigurace : Asymmetrical Bridge

Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 1200V

Proud - kolektor (Ic) (Max) : 80A

Výkon - Max : 280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 50A

Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 250µA

Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 2.77nF @ 25V

Vstup : Standard

Termistor NTC : Yes

Provozní teplota : -40°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže : Chassis Mount

Balíček / Případ : SP3

Balík zařízení pro dodavatele : SP3

Můžete se také zajímat

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

Horké díly