GeneSiC Semiconductor - S6J

KEY Part #: K6425375

Detailní popis:: DIODE GEN PURP 600V 6A DO4. Rectifiers 600V 6A Std. Recovery

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF and Tyristory - SCR - Moduly ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor S6J. S6J může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na S6J, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : S6J

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE GEN PURP 600V 6A DO4

Série : -

Stav části : Active

Typ diod : Standard

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 600V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 6A

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 6A

Rychlost : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : -

Proud - reverzní únik @ Vr : 10µA @ 100V

Kapacita @ Vr, F : -

Typ montáže : Chassis, Stud Mount

Balíček / Případ : DO-203AA, DO-4, Stud

Balík zařízení pro dodavatele : DO-4

Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 175°C

Můžete se také zajímat

RHRD660S9A-F085

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V Hyperfast
QH12BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier
VS-SD1100C12C

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp
63SPB100A

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.
LXA03D530-TL

Power Integrations

DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V, 3A, Low Qrr PFC boost 75nC
LXA03D530

Power Integrations

DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V 3A X-Series 3A 75nC 3.2A 0.34

Horké díly