Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Diody - Usměrňovače - Single
  5. JAN1N5809US

Microsemi Corporation - JAN1N5809US

KEY Part #: K6428074

JAN1N5809US Ceny (USD) [8882ks skladem]

  • 1 pcs$4.66293
  • 100 pcs$4.63973
Číslo dílu:
JAN1N5809US
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF. Rectifiers MIL, QPL PART, 3A 100V ULTRAFAST RECT- SQ END CAPS
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - JFETy, Diody - Usměrňovače - Single and Diody - Zener - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation JAN1N5809US. JAN1N5809US může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na JAN1N5809US, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5809US Vlastnosti produktu

Číslo dílu : JAN1N5809US
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
Série : Military, MIL-PRF-19500/477
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 100V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 6A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 30ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 5µA @ 100V
Kapacita @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : SQ-MELF, B
Balík zařízení pro dodavatele : B, SQ-MELF
Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 175°C

Poslední zprávy

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Můžete se také zajímat
  • GP2D012A065C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2.

  • STPS30M100SFP

    STMicroelectronics

    DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220FP. Schottky Diodes & Rectifiers 100V 30A

  • V20PW10HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V35PW12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PWM15HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

Horké díly