Infineon Technologies - IPD033N06NATMA1

KEY Part #: K6419433

IPD033N06NATMA1 Ceny (USD) [111859ks skladem]

  • 1 pcs$0.33066
  • 2,500 pcs$0.30335

Číslo dílu:
IPD033N06NATMA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Usměrňovače - Single, Diody - RF, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated and Moduly ovladače napájení ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IPD033N06NATMA1. IPD033N06NATMA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IPD033N06NATMA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD033N06NATMA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IPD033N06NATMA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Série : OptiMOS™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 60V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 3400pF @ 30V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 107W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PG-TO252-3
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Můžete se také zajímat