Microsemi Corporation - JAN1N4490C

KEY Part #: K6479728

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - JFETy, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - Zener - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF and Diody - usměrňovače - pole ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation JAN1N4490C. JAN1N4490C může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na JAN1N4490C, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : JAN1N4490C

Výrobce : Microsemi Corporation

Popis : DIODE ZENER 110V 1.5W DO41

Série : Military, MIL-PRF-19500/406

Stav části : Active

Napětí - Zener (Nom) (Vz) : 110V

Tolerance : ±2%

Výkon - Max : 1.5W

Impedance (Max) (Zzt) : 300 Ohms

Proud - reverzní únik @ Vr : 250nA @ 88V

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA

Provozní teplota : -65°C ~ 175°C

Typ montáže : Through Hole

Balíček / Případ : DO-204AL, DO-41, Axial

Balík zařízení pro dodavatele : DO-41

Můžete se také zajímat

BAW156E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array
BAV70E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

Horké díly