ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320D-3DBLI-TR

KEY Part #: K938097

IS43DR16320D-3DBLI-TR Ceny (USD) [19211ks skladem]

  • 1 pcs$2.85382
  • 2,500 pcs$2.83962

Číslo dílu:
IS43DR16320D-3DBLI-TR
Výrobce:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detailní popis:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Sběr dat - Digitální převodníky analogové (DAC), Rozhraní - Signální buffery, opakovače, rozbočovač, PMIC - regulátory napětí - DC DC přepínací regulát, Logické - Shift registry, PMIC - Regulátory napětí - Linear + Switching, Logika - žabky, Ovladače PMIC - LED and Logika - paměť FIFOs ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBLI-TR. IS43DR16320D-3DBLI-TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IS43DR16320D-3DBLI-TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16320D-3DBLI-TR Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IS43DR16320D-3DBLI-TR
Výrobce : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Popis : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Série : -
Stav části : Active
Typ paměti : Volatile
Formát paměti : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR2
Velikost paměti : 512Mb (32M x 16)
Frekvence hodin : 333MHz
Čas zápisu - slovo, strana : 15ns
Čas přístupu : 450ps
Paměťové rozhraní : Parallel
Napětí - napájení : 1.7V ~ 1.9V
Provozní teplota : -40°C ~ 85°C (TA)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 84-TFBGA
Balík zařízení pro dodavatele : 84-TWBGA (8x12.5)

Poslední zprávy

Můžete se také zajímat
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)