Infineon Technologies - SPI20N60C3HKSA1

KEY Part #: K6402171

[8799ks skladem]


    Číslo dílu:
    SPI20N60C3HKSA1
    Výrobce:
    Infineon Technologies
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - Zener - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated and Diody - Zener - pole ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies SPI20N60C3HKSA1. SPI20N60C3HKSA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SPI20N60C3HKSA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPI20N60C3HKSA1 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : SPI20N60C3HKSA1
    Výrobce : Infineon Technologies
    Popis : MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262
    Série : CoolMOS™
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 600V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 20.7A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 13.1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 114nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 25V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 208W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Through Hole
    Balík zařízení pro dodavatele : PG-TO262-3-1
    Balíček / Případ : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Můžete se také zajímat
    • ZVN2106ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

    • LND150N3-G-P003

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

    • ZVN2110ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVP2110ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.

    • BS170-D26Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • TK90S06N1L,LQ

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.