Nexperia USA Inc. - PHB20NQ20T,118

KEY Part #: K6404347

PHB20NQ20T,118 Ceny (USD) [2043ks skladem]

  • 4,800 pcs$0.28278

Číslo dílu:
PHB20NQ20T,118
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Detailní popis:
MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF and Diody - Zener - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Nexperia USA Inc. PHB20NQ20T,118. PHB20NQ20T,118 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na PHB20NQ20T,118, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHB20NQ20T,118 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : PHB20NQ20T,118
Výrobce : Nexperia USA Inc.
Popis : MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK
Série : TrenchMOS™
Stav části : Obsolete
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 200V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2470pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 150W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : D2PAK
Balíček / Případ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB