IXYS - IXTA3N120HV

KEY Part #: K6397785

IXTA3N120HV Ceny (USD) [15181ks skladem]

  • 1 pcs$7.03798
  • 10 pcs$6.39896
  • 100 pcs$5.43912

Číslo dílu:
IXTA3N120HV
Výrobce:
IXYS
Detailní popis:
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Diody - usměrňovače - pole, Diody - Zener - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - IGBTs - Arrays and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky IXYS IXTA3N120HV. IXTA3N120HV může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IXTA3N120HV, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA3N120HV Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IXTA3N120HV
Výrobce : IXYS
Popis : MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1200V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 200W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : TO-263
Balíček / Případ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Můžete se také zajímat
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.

  • TK32A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 32A TO-220.