Rohm Semiconductor - RFN1L7STE25

KEY Part #: K6457920

RFN1L7STE25 Ceny (USD) [752990ks skladem]

  • 1 pcs$0.05266
  • 1,500 pcs$0.05240

Číslo dílu:
RFN1L7STE25
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS. Diodes - General Purpose, Power, Switching Diode Switching 700V 0.8A
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - speciální účel, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - Usměrňovače - Single, Tyristory - DIAC, SIDAC, Moduly ovladače napájení and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Rohm Semiconductor RFN1L7STE25. RFN1L7STE25 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na RFN1L7STE25, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFN1L7STE25 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : RFN1L7STE25
Výrobce : Rohm Semiconductor
Popis : DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS
Série : -
Stav části : Not For New Designs
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 700V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 800mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 800mA
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 80ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 1µA @ 700V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : DO-214AC, SMA
Balík zařízení pro dodavatele : PMDS
Provozní teplota - křižovatka : 150°C (Max)

Můžete se také zajímat
  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt