Vishay Siliconix - SQJ910AEP-T1_GE3

KEY Part #: K6523093

SQJ910AEP-T1_GE3 Ceny (USD) [152759ks skladem]

  • 1 pcs$0.24213

Číslo dílu:
SQJ910AEP-T1_GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Diody - Usměrňovače - Single, Tyristory - DIAC, SIDAC, Diody - Zener - Single, Diody - RF, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SQJ910AEP-T1_GE3. SQJ910AEP-T1_GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SQJ910AEP-T1_GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ910AEP-T1_GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SQJ910AEP-T1_GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Série : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav části : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
Funkce FET : Standard
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1869pF @ 15V
Výkon - Max : 48W
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : PowerPAK® SO-8 Dual
Balík zařízení pro dodavatele : PowerPAK® SO-8 Dual

Můžete se také zajímat
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.