Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Integrované obvody (IC)
  4. Paměť
  5. TC58NYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG2S0HBAI6

KEY Part #: K938373

TC58NYG2S0HBAI6 Ceny (USD) [20269ks skladem]

  • 1 pcs$1.88179
  • 10 pcs$1.70551
Číslo dílu:
TC58NYG2S0HBAI6
Výrobce:
Toshiba Memory America, Inc.
Detailní popis:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Rozhraní - KÓD, Rozhraní - analogové spínače - speciální účel, Hodiny / Načasování - Hodiny buffery, Ovladače, Logika - žabky, Logika - Západky, Rozhraní - analogové spínače, multiplexory, demult, Hodiny / Časování - Specifické aplikace and Rozhraní - Terminátory signálu ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG2S0HBAI6. TC58NYG2S0HBAI6 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na TC58NYG2S0HBAI6, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG2S0HBAI6 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : TC58NYG2S0HBAI6
Výrobce : Toshiba Memory America, Inc.
Popis : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Série : -
Stav části : Active
Typ paměti : Non-Volatile
Formát paměti : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Velikost paměti : 4Gb (512M x 8)
Frekvence hodin : -
Čas zápisu - slovo, strana : 25ns
Čas přístupu : 25ns
Paměťové rozhraní : Parallel
Napětí - napájení : 1.7V ~ 1.95V
Provozní teplota : -40°C ~ 85°C (TA)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 67-VFBGA
Balík zařízení pro dodavatele : 67-VFBGA (6.5x8)

Poslední zprávy

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Můžete se také zajímat
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS61LP6436A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LP6432A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v

Horké díly