ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46LR32160B-6BLA2-TR

KEY Part #: K920661

Detailní popis:: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 512M (16Mx32) Mobile DDR 1.8v

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Logika - Západky, PMIC - řadiče Hot Swap, Rozhraní - Moduly, Hodiny / Časování - Specifické aplikace, Paměť - baterie, Vestavěné - FPGA (Field Programmable Gate Array), Sběr dat - analogově-digitální převodníky (ADC) and PMIC - RMS na DC měniče ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160B-6BLA2-TR. IS46LR32160B-6BLA2-TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IS46LR32160B-6BLA2-TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : IS46LR32160B-6BLA2-TR

Výrobce : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Popis : IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Série : -

Stav části : Active

Typ paměti : Volatile

Formát paměti : DRAM

Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR

Velikost paměti : 512Mb (16M x 32)

Frekvence hodin : 166MHz

Čas zápisu - slovo, strana : 12ns

Čas přístupu : 5.5ns

Paměťové rozhraní : Parallel

Napětí - napájení : 1.7V ~ 1.95V

Provozní teplota : -40°C ~ 105°C (TA)

Typ montáže : Surface Mount

Balíček / Případ : 90-TFBGA

Balík zařízení pro dodavatele : 90-TFBGA (8x13)

Silicom MinnowBoard Turbot

Můžete se také zajímat

W25Q128BVEJG

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 128MB.
W25Q32FVZEJQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 32MB.
W25Q256FVEJF TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 256MB.
7130LA25TFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1K x 8 Dual Port High Speed RAM
W25Q128FVFJP

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 128MB.
IS61VPS51236A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18M (512Kx36) 200MHz Sync SRAM 2.5v

Horké díly