Microsemi Corporation - JAN1N4464CUS

KEY Part #: K6479713

JAN1N4464CUS Ceny (USD) [3839ks skladem]

  • 1 pcs$11.28034
  • 100 pcs$10.78989

Číslo dílu:
JAN1N4464CUS
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
DIODE ZENER 9.1V 1.5W D-5A. Zener Diodes Zener Diodes
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Moduly ovladače napájení, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole and Tranzistory - speciální účel ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation JAN1N4464CUS. JAN1N4464CUS může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na JAN1N4464CUS, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4464CUS Vlastnosti produktu

Číslo dílu : JAN1N4464CUS
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : DIODE ZENER 9.1V 1.5W D-5A
Série : Military, MIL-PRF-19500/406
Stav části : Active
Napětí - Zener (Nom) (Vz) : 9.1V
Tolerance : ±2%
Výkon - Max : 1.5W
Impedance (Max) (Zzt) : 4 Ohms
Proud - reverzní únik @ Vr : 300nA @ 5.46V
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Provozní teplota : -65°C ~ 175°C
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : SQ-MELF, A
Balík zařízení pro dodavatele : D-5A

Můžete se také zajímat
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA