GeneSiC Semiconductor - MBR8030R

KEY Part #: K6425054

Detailní popis:: DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5. Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 80A Schottky Rectifier

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - Můstkové usměrňovače, Diody - usměrňovače - pole, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tyristory - TRIAC and Diody - Zener - Single ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor MBR8030R. MBR8030R může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na MBR8030R, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : MBR8030R

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5

Série : -

Stav části : Active

Typ diod : Schottky, Reverse Polarity

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 30V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 80A

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 750mV @ 80A

Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : -

Proud - reverzní únik @ Vr : 1mA @ 30V

Kapacita @ Vr, F : -

Typ montáže : Chassis, Stud Mount

Balíček / Případ : DO-203AB, DO-5, Stud

Balík zařízení pro dodavatele : DO-5

Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 150°C

Můžete se také zajímat

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
QH08BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

Horké díly