Keystone Electronics - 4678

KEY Part #: K7359557

4678 Ceny (USD) [779344ks skladem]

  • 1 pcs$0.04746
  • 10 pcs$0.04351
  • 50 pcs$0.02792
  • 100 pcs$0.02697
  • 250 pcs$0.02324
  • 1,000 pcs$0.01952
  • 2,500 pcs$0.01766
  • 5,000 pcs$0.01673

Číslo dílu:
4678
Výrobce:
Keystone Electronics
Detailní popis:
INSULATOR CIRCULAR GEN PURP. Screws & Fasteners MICA WASHER
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Nárazníky, Nohy, Podložky, Gripy, Podložky - pouzdro, rameno, Smíšený, Deskové podpěry, Ořechy, Kanál DIN, Podložky and Příslušenství ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Keystone Electronics 4678. 4678 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 4678, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

4678 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : 4678
Výrobce : Keystone Electronics
Popis : INSULATOR CIRCULAR GEN PURP
Série : -
Stav části : Active
Typ : Insulator
Tvar : Circular
Používání : General Purpose
Materiál : Mica
Barva : -
Funkce : -
Délka : -
Šířka : -
Výška : -
Průměr - vně : 0.375" (9.53mm) 3/8"
Průměr - Uvnitř : 0.120" (3.05mm)

Můžete se také zajímat
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.