Keystone Electronics - 3390

KEY Part #: K7359574

3390 Ceny (USD) [623475ks skladem]

  • 1 pcs$0.05537
  • 10 pcs$0.05300
  • 50 pcs$0.03385
  • 100 pcs$0.03271
  • 250 pcs$0.02818
  • 1,000 pcs$0.02367
  • 2,500 pcs$0.02142
  • 5,000 pcs$0.02029

Číslo dílu:
3390
Výrobce:
Keystone Electronics
Detailní popis:
RIVET SEMI-TUBE 0.218 BRASS. Screws & Fasteners RIVET
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Uzavírací spojovací materiál, Konstrukční, pohybový hardware, Montážní konzoly, Smíšený, Izolátory komponentů, úchyty, rozpěrky, Šrouby, šrouby, Šroubové průchodky and Nárazníky, Nohy, Podložky, Gripy ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Keystone Electronics 3390. 3390 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 3390, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

3390 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : 3390
Výrobce : Keystone Electronics
Popis : RIVET SEMI-TUBE 0.218 BRASS
Série : -
Stav části : Active
Typ : Semi-Tubular Rivet
Průměr nitu : 0.120" (3.05mm)
Délka nýtu : 0.218" (5.54mm)
Průměr hlavy : 0.218" (5.54mm)
Výška hlavy : -
Průměr otvoru : 0.128" (3.25mm)
Rozsah uchopení : -
Funkce : -
Barva : -
Materiál : Brass

Můžete se také zajímat
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.