Microsemi Corporation - JAN1N4983CUS

KEY Part #: K6479742

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Diody - Zener - Single, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - RF, Diody - Můstkové usměrňovače, Tyristory - SCR, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF and Tyristory - DIAC, SIDAC ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation JAN1N4983CUS. JAN1N4983CUS může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na JAN1N4983CUS, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : JAN1N4983CUS

Výrobce : Microsemi Corporation

Popis : DIODE ZENER 110V 5W D5B

Série : Military, MIL-PRF-19500/356

Stav části : Active

Napětí - Zener (Nom) (Vz) : 110V

Tolerance : ±2%

Výkon - Max : 5W

Impedance (Max) (Zzt) : 125 Ohms

Proud - reverzní únik @ Vr : 2µA @ 83.6V

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 1A

Provozní teplota : -65°C ~ 175°C

Typ montáže : Surface Mount

Balíček / Případ : E-MELF

Balík zařízení pro dodavatele : D-5B

Můžete se také zajímat

MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array
BAV70E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA
BAV70WH6327XTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR

Horké díly