Diodes Incorporated - DMP210DUFB4-7B

KEY Part #: K6393627

DMP210DUFB4-7B Ceny (USD) [2281566ks skladem]

  • 1 pcs$0.01621
  • 10,000 pcs$0.01465

Číslo dílu:
DMP210DUFB4-7B
Výrobce:
Diodes Incorporated
Detailní popis:
MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Diodes Incorporated DMP210DUFB4-7B. DMP210DUFB4-7B může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na DMP210DUFB4-7B, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP210DUFB4-7B Vlastnosti produktu

Číslo dílu : DMP210DUFB4-7B
Výrobce : Diodes Incorporated
Popis : MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 20V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 175pF @ 15V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 350mW (Ta)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : X2-DFN1006-3
Balíček / Případ : 3-XFDFN