Diodes Incorporated - SBR10E45P5-13D

KEY Part #: K6434796

SBR10E45P5-13D Ceny (USD) [400776ks skladem]

  • 1 pcs$0.09229
  • 5,000 pcs$0.08201

Číslo dílu:
SBR10E45P5-13D
Výrobce:
Diodes Incorporated
Detailní popis:
DIODE SBR 45V 10A POWERDI5. Schottky Diodes & Rectifiers 10A SBR 45Vrrm
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - speciální účel, Diody - Zener - pole, Diody - Usměrňovače - Single, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tyristory - SCR - Moduly, Tyristory - TRIAC and Moduly ovladače napájení ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Diodes Incorporated SBR10E45P5-13D. SBR10E45P5-13D může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SBR10E45P5-13D, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBR10E45P5-13D Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SBR10E45P5-13D
Výrobce : Diodes Incorporated
Popis : DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Super Barrier
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 45V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 10A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 470mV @ 10A
Rychlost : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : -
Proud - reverzní únik @ Vr : 280µA @ 45V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : PowerDI™ 5
Balík zařízení pro dodavatele : PowerDI™ 5
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 150°C

Můžete se také zajímat
  • MBRD5100HL-TP

    Micro Commercial Co

    5A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 5A SCHOTTKY RECTIFIER

  • BAS70WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323.

  • BAS40WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT323.

  • CRF03(TE85L,Q,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 600V 700MA SFLAT. Rectifiers Diode S-FRD 600V, 0.7A

  • CRG04(TE85L,Q,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 600V 1A SFLAT. Rectifiers 600V Vrrm 1.0A IF 50Hz 1.1V Vfm REC

  • 1N5391GHA0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC.