Rohm Semiconductor - RBR3LAM30BTR

KEY Part #: K6457914

RBR3LAM30BTR Ceny (USD) [748709ks skladem]

  • 1 pcs$0.05461
  • 3,000 pcs$0.05434
  • 6,000 pcs$0.05105
  • 15,000 pcs$0.04775
  • 30,000 pcs$0.04380

Číslo dílu:
RBR3LAM30BTR
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Detailní popis:
DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDTM. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vr 3A Io Schottky Br Diode
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - Zener - pole, Diody - Můstkové usměrňovače, Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - IGBTs - Arrays and Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Rohm Semiconductor RBR3LAM30BTR. RBR3LAM30BTR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na RBR3LAM30BTR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RBR3LAM30BTR Vlastnosti produktu

Číslo dílu : RBR3LAM30BTR
Výrobce : Rohm Semiconductor
Popis : DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDTM
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Schottky
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 30V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 3A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 530mV @ 3A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : -
Proud - reverzní únik @ Vr : 80µA @ 30V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : SOD-128
Balík zařízení pro dodavatele : PMDTM
Provozní teplota - křižovatka : 150°C (Max)

Můžete se také zajímat
  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt